Czesław Skierbiszewski

Nauka i edukacja

Czesław Dariusz Skierbiszewski, który przyszedł na świat 19 maja 1960 roku w Opolu, to uznany profesor fizyki. Jego praca naukowa skupiła się na możliwościach epitaksji z wiązek molekularnych, co jest jednym z ważnych procesów w nowoczesnej technologii materiałowej.

Skierbiszewski jest twórcą oraz liderem grupy badawczej, która koncentruje się na tej metodzie, znanej w języku angielskim jako molecular beam epitaxy (MBE). Działalność jego zespołu odbywa się w Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN), gdzie prowadzone są zaawansowane badania nad strukturami półprzewodnikowymi oraz innymi materiałami.

Życiorys

Czesław Skierbiszewski ukończył studia na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego w 1984 roku. Po ukończeniu studiów, uzyskał stopień naukowy doktora w Instytucie Fizyki PAN, gdzie jego praca doktorska koncentrowała się na kondensacji Wignera w naładowanej sieci domieszek w HgFeSe. Następnie, w tym samym instytucie, otrzymał stopień doktora habilitowanego za swoje badania dotyczące półprzewodników z rodziny GaAs, które były domieszkowane azotem, znanych jako „diluted nitrides”. W 2015 roku przyznano mu tytuł profesora nauk fizycznych.

Wśród jego istotnych osiągnięć znajduje się wyznaczenie nieparaboliczności pasma przewodnictwa oraz badanie zależności masy efektywnej w InGaNAs od zawartości azotu oraz stężenia elektronów. Profesor Skierbiszewski jest również twórcą i liderem grupy badawczej, która specjalizuje się w epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) w Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk.

W 2004 roku zaprezentował pierwszą na świecie niebieską azotkową diodę laserową, która została uzyskana metodą epitaksji z wiązek molekularnych. Technologiczne innowacje, które on wprowadził, pozwoliły na rozwój diod laserowych charakteryzujących się bardzo długim czasem pracy, przekraczającym 100 000 godzin.

Profesor Czesław Skierbiszewski jest autorem ponad 140 publikacji w wysoko cenionych czasopismach naukowych, dotyczących fizyki i inżynierii materiałowej. Niezwykle prestiżowy status w świecie nauki potwierdza jego obecność na liście 2% najbardziej cytowanych naukowców według zestawienia „World Ranking Top 2% Scientists”, opracowanego przez Uniwersytet Stanforda we współpracy z wydawnictwem Elsevier oraz firmą SciTech Strategies.

Przypisy

  1. G.G. Muziol G.G. i inni, Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy, „Materials Science in Semiconductor Processing”, 91, 2019, s. 387–391, DOI: 10.1016/j.mssp.2018.12.011 [dostęp 09.02.2023 r.]
  2. C.C. Skierbiszewski C.C. i inni, Blue-violet InGaN laser diodes grown on bulk GaN substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy, „Applied Physics Letters”, 86 (1), 2005, s. 011114, DOI: 10.1063/1.1846143, ISSN 0003-6951 [dostęp 09.02.2023 r.]
  3. a b C.C. Skierbiszewski C.C. i inni, Large, nitrogen-induced increase of the electron effective mass in InyGa1−yNxAs1−x, „Applied Physics Letters”, 76 (17), 2000, s. 2409–2411, DOI: 10.1063/1.126360, ISSN 0003-6951 [dostęp 07.02.2023 r.]
  4. Postanowienie Prezydenta Rzeczypospolitej Polskiej z dnia 16.06.2015 r. nr 115.9.2015 w sprawie nadania tytułu profesora (M.P. z 2015 r. poz. 648).
  5. Jeroen J. Baas JeroenJ., September 2022 data-update for "Updated science-wide author databases of standardized citation indicators", Elsevier BV, 10.10.2022, DOI: 10.17632/btchxktzyw.4 [dostęp 17.02.2023 r.]

Oceń: Czesław Skierbiszewski

★★★★★
Średnia ocena:4.56 Liczba ocen:19